Perovskite कोशिकाओं और Topcon कोशिकाओं के बीच का अंतर

टॉपकॉन सेल और हेटेरोजंक्शन (HJT/HIT) कोशिकाएं दोनों पारंपरिक क्रिस्टलीय सिलिकॉन कोशिकाएं हैं, जो दूसरी पीढ़ी की फोटोवोल्टिक सेल तकनीक हैं, जबकि पेरोव्साइट कोशिकाएं तीसरी पीढ़ी के गैर-सिलिकॉन पतली-फिल्म कोशिकाओं के प्रतिनिधि हैं।
Perovskite/क्रिस्टलीय सिलिकॉन स्टैक्ड सेल इन दो तकनीकी मार्गों का एक संयोजन है। यह एक डबल-जंक्शन सोलर सेल है जो पेरोव्साइट सौर कोशिकाओं और पारंपरिक क्रिस्टलीय सिलिकॉन सौर कोशिकाओं को सुपरइम्पोज़िंग द्वारा गठित किया जाता है। सीधे शब्दों में कहें, यह क्रिस्टलीय सिलिकॉन कोशिकाओं की सतह पर श्रृंखला में पेरोवकाइट कोशिकाओं को जोड़ने के लिए संदर्भित करता है।
वर्तमान में, शुद्ध पेरोव्साइट कोशिकाओं ने बहुत तेजी से दक्षता क्षय की समस्या को पूरी तरह से दूर नहीं किया है, और पेरोव्साइट/क्रिस्टलीय सिलिकॉन स्टैक्ड कोशिकाओं को सबसे अच्छा औद्योगिक लैंडिंग तकनीक बनने की उम्मीद है।
प्रदर्शन के दृष्टिकोण से, पेरोव्साइट/क्रिस्टलीय सिलिकॉन स्टैक्ड सेल ने संयोजन के फायदों के माध्यम से अवशोषण स्पेक्ट्रम को व्यापक बनाया है, और शुद्ध क्रिस्टलीय सिलिकॉन कोशिकाओं या पेरोवकाइट कोशिकाओं की तुलना में एक उच्च फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण दक्षता प्राप्त की है, और सैद्धांतिक रूपांतरण दक्षता 30 से अधिक हो सकती है। %।
सैद्धांतिक सीमा रूपांतरण दक्षता के संदर्भ में, HJT, Topcon, और Perovskite एकल-परत कोशिकाओं की सीमा क्षमता क्रमशः 27.5%, 28.7%और 31%है।
यह ध्यान देने योग्य है कि Perovskite/क्रिस्टलीय सिलिकॉन स्टैक्ड कोशिकाओं से HJT द्वारा प्रतिनिधित्व हेटेरोजंक्शन कोशिकाओं के लिए अधिक संभावनाएं पैदा करने की उम्मीद है। इसका कारण यह है कि दोनों हेटेरोजंक्शन सेल टेक्नोलॉजी और पेरोव्साइट सेल तकनीक कम तापमान वाली प्रक्रियाओं से संबंधित हैं, दो प्रौद्योगिकियों के उत्पादन उपकरण अत्यधिक संगत हैं, और हेटेरोजंक्शन कोशिकाएं दो तरफा बिजली उत्पादन हैं, और उनके पास स्वयं पतली-फिल्म प्रक्रियाएं हैं।
इसलिए, पेरोव्साइट तकनीक हेटेरोजंक्शन कोशिकाओं के आधार पर ढेर करना आसान है। टॉपकॉन सेल तकनीक उच्च तापमान प्रक्रियाओं से संबंधित है, और इसमें एक पारदर्शी प्रवाहकीय फिल्म नहीं है। पेरोवकाइट तकनीक को सुपरइम्पोज़िंग की कठिनाई स्वाभाविक रूप से हेटेरोजंक्शन तकनीक की तुलना में अधिक है।
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