1। लाभ और नुकसान
A. लाभ:
एक। सैद्धांतिक दक्षता सीमा अधिक है (लगभग 33%), क्रिस्टलीय सिलिकॉन के करीब।
बी। कम तापमान गुणांक (-0। 3%/° C से -0। 5%/° C), उच्च तापमान पर कम बिजली की हानि।
सी। कोई प्रकाश-प्रेरित गिरावट (एलआईडी) समस्या, अच्छी दीर्घकालिक स्थिरता।
B. नुकसान:
एक। उच्च सामग्री लागत: इंडियम की कमी से कीमतों को बढ़ा सकता है (वैकल्पिक सामग्री पर पुनर्नवीनीकरण या अनुसंधान की आवश्यकता है)।
बी। जटिल प्रक्रिया: वैक्यूम उपकरणों में उच्च निवेश, द्रव्यमान उत्पादन स्थिरता को नियंत्रित करने के लिए मुश्किल।
सी। पर्यावरणीय विवाद: पारंपरिक सीडीएस बफर परत में कैडमियम होता है, और कैडमियम-मुक्त विकल्पों की आवश्यकता होती है (जैसे कि Zn (O, S))।
2। प्रौद्योगिकी रुझान
A. टुकड़े टुकड़े में कोशिकाएं: CIGS PEROVSKITE के साथ संयुक्त, सैद्धांतिक दक्षता 30%से अधिक हो सकती है।
बी। रोल-टू-रोल उत्पादन: लचीले घटकों की निरंतर छपाई, महान लागत में कमी की क्षमता।
सी। इंडियम प्रतिस्थापन: इन इंडियम-मुक्त सामग्री जैसे कि कॉपर जस्ता टिन सल्फर (CZTS) का अनुसंधान और विकास।
3। भविष्य का विकास
CIGS तकनीक को सामग्री की अड़चन के माध्यम से तोड़ने और प्रक्रिया लागत को कम करने की आवश्यकता होती है, लेकिन यह लचीले और हल्के परिदृश्यों में अपूरणीय है। स्टैकिंग प्रौद्योगिकी और नई सामग्रियों की परिपक्वता के साथ, यह बाजार खंडों में एक बड़े हिस्से पर कब्जा कर सकता है।
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