अनाकार सिलिकॉन (ए-एसआई) पतली-फिल्म मॉड्यूल एक प्रकार का पतला-फिल्म फोटोवोल्टिक तकनीक है जो अनाकार सिलिकॉन सामग्री से बनाई गई है। वे हल्के, लचीले हैं, और अच्छी कमजोर प्रकाश प्रतिक्रिया है, जो उन्हें विभिन्न प्रकार के आवेदन परिदृश्यों के लिए उपयुक्त बनाते हैं। निम्नलिखित विस्तार से अनाकार सिलिकॉन पतली-फिल्म मॉड्यूल की संरचना और प्रक्रिया का परिचय देगा:
1। मूल संरचना और कार्य सिद्धांत
A. संरचनात्मक:
एक। सब्सट्रेट: आमतौर पर ग्लास (कठोर) या स्टेनलेस स्टील/पॉलिमर (लचीला)।
बी। पारदर्शी प्रवाहकीय परत (TCO): जैसे कि इंडियम टिन ऑक्साइड (ITO) या फ्लोरीन-डोपेड टिन ऑक्साइड (FTO), वर्तमान और प्रकाश को प्रसारित करने के लिए उपयोग किया जाता है।
सी। अनाकार सिलिकॉन परत: केवल 1-2 माइक्रोन की मोटाई के साथ प्लाज्मा एन्हांस्ड रासायनिक वाष्प जमाव (PECVD) द्वारा निर्मित।
डी। पिन जंक्शन: अनाकार सिलिकॉन आमतौर पर एक सैंडविच संरचना (पी-टाइप लेयर-इन्ट्रिंसिक लेयर-एन-टाइप लेयर) है, और आंतरिक परत (I परत) मुख्य प्रकाश अवशोषण है।
ई। बैक इलेक्ट्रोड: धातु (जैसे एल्यूमीनियम) या मिश्रित परत, दक्षता में सुधार के लिए प्रकाश को दर्शाती है।
B. कार्य सिद्धांत: लाइट ने अनाकार सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉन-होल जोड़े को उत्तेजित किया, जो अंतर्निहित विद्युत क्षेत्र (पिन जंक्शन) की कार्रवाई के तहत वर्तमान बनाने के लिए अलग-अलग है।
2। विनिर्माण प्रक्रिया
A. सब्सट्रेट सफाई: सुनिश्चित करें कि सतह संदूषण से मुक्त है।
B. TCO बयान: पारदर्शी प्रवाहकीय परत मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग या रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) द्वारा तैयार की जाती है।
सी .. अनाकार सिलिकॉन जमाव:
एक। PECVD प्रक्रिया: सिलने (SIH₄) और हाइड्रोजन (H () को प्लाज्मा अपघटन के माध्यम से एक अनाकार सिलिकॉन फिल्म बनाने के लिए कम तापमान (200-300 डिग्री) पर पेश किया जाता है।
बी। स्टैकिंग डिज़ाइन: दक्षता में सुधार करने के लिए, बहु-जंक्शन संरचनाओं (जैसे कि ए-सी/μC-SI स्टैकिंग) को जमा किया जा सकता है।
डी। बैक इलेक्ट्रोड उत्पादन: धातु की परत का स्पटरिंग या वाष्पीकरण।
ई। एनकैप्सुलेशन: ईवा फिल्म और बैकशीट का उपयोग फाड़ना संरक्षण के लिए किया जाता है।
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