कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड थिन फिल्म मॉड्यूल एक कुशल, हल्के और लचीले फोटोवोल्टिक तकनीक हैं। इसके भौतिक गुणों और विनिर्माण प्रक्रिया के लाभों के कारण, यह फोटोवोल्टिक क्षेत्र में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। निम्नलिखित कई आयामों से एक विस्तृत परिचय है:
1। बुनियादी संरचना और सामग्री
A. रासायनिक संरचना: CIGs रासायनिक सूत्र Cu (IN, GA) Se₂ के साथ तांबे (Cu), Indium (In), Galium (GA), और सेलेनियम (SE) का एक यौगिक है। बैंड गैप (1। 0-1। 7 ईवी) को गैलियम/इंडियम अनुपात को समायोजित करके बदला जा सकता है, जिससे प्रकाश अवशोषण प्रदर्शन का अनुकूलन होता है।
B. बहुपरत संरचना:
एक। सब्सट्रेट: ग्लास, स्टेनलेस स्टील या पॉलीमाइड (लचीले घटक)।
बी। बैक इलेक्ट्रोड: आमतौर पर एक मोलिब्डेनम (एमओ) परत।
C.Absorber परत: CIGS पतली फिल्म (2-3 माइक्रोन मोटी), कोर लाइट अवशोषण सामग्री।
D.Buffer परत: इंटरफ़ेस दोष को कम करने के लिए कैडमियम सल्फाइड (CDS) या जस्ता-आधारित यौगिक (जैसे Zns)।
E.Window परत: प्रकाश संचरण और वर्तमान संग्रह के लिए पारदर्शी प्रवाहकीय ऑक्साइड (TCO), जैसे जिंक ऑक्साइड (ZnO)।
2। कोर फीचर्स
A. उच्च दक्षता: प्रयोगशाला में उच्चतम दक्षता 23.6%है, और द्रव्यमान-उत्पादित मॉड्यूल की दक्षता 15%-20%है, जो अन्य पतली-फिल्म प्रौद्योगिकियों की तुलना में बेहतर है।
B. कम-प्रकाश प्रदर्शन: बिखरे हुए प्रकाश या उच्च तापमान वातावरण में उत्कृष्ट प्रदर्शन, बादल वाले क्षेत्रों के लिए उपयुक्त।
सी। लचीला डिजाइन: एक बहुलक सब्सट्रेट का उपयोग करते समय यह मुड़ा हुआ हो सकता है, भवन-एकीकृत फोटोवोल्टिक (बीआईपीवी), पोर्टेबल उपकरणों, आदि के लिए उपयुक्त है।
डी। कम सामग्री की खपत: अवशोषण परत की मोटाई केवल माइक्रोमीटर है, और इंडियम और गैलियम की मात्रा छोटी है।
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