सौर पैनलों की उत्पादन प्रक्रिया

सौर कोशिकाओं की विशिष्ट निर्माण प्रक्रिया का विवरण

(1) स्लाइसिंग: मल्टी-लाइन कटिंग का उपयोग करके, सिलिकॉन रॉड को स्क्वायर सिलिकॉन वेफर्स में काटा जाता है।

(2) सफाई: साफ करने के लिए पारंपरिक सिलिकॉन वेफर सफाई विधियों का उपयोग करें, और फिर सिलिकॉन वेफर की सतह पर 30-50 क्षति परत को हटाने के लिए एसिड (या क्षार) समाधान का उपयोग करें।

(3) साबर की तैयारी: सिलिकॉन वेफर की सतह पर एक साबर तैयार करने के लिए एक क्षारीय घोल के साथ सिलिकॉन वेफर पर अनिसोट्रोपिक नक़्क़ाशी की जाती है।

(4) फॉस्फोरस प्रसार: PN प्लस जंक्शन बनाने के लिए प्रसार के लिए एक कोटिंग स्रोत (या एक तरल स्रोत, या एक ठोस फास्फोरस नाइट्राइड परत स्रोत) का उपयोग करें, और जंक्शन की गहराई आम तौर पर 0 है।3-0 .5um

(5) परिधीय नक़्क़ाशी: प्रसार के दौरान सिलिकॉन वेफर की परिधीय सतह पर बनने वाली प्रसार परत बैटरी के ऊपरी और निचले इलेक्ट्रोड को शॉर्ट-सर्किट करेगी, और परिधीय प्रसार परत को गीली नक़्क़ाशी या प्लाज्मा सूखी नक़्क़ाशी द्वारा हटा दिया जाता है।

(6) बैकसाइड पीएन प्लस जंक्शन को हटा दें। बैकसाइड पीएन प्लस जंक्शन को आमतौर पर गीली नक़्क़ाशी या पीसकर हटा दिया जाता है।

(7) ऊपरी और निचले इलेक्ट्रोड बनाना: वैक्यूम वाष्पीकरण, इलेक्ट्रोलेस निकल चढ़ाना या एल्यूमीनियम पेस्ट प्रिंटिंग और सिंटरिंग का उपयोग करना। निचले इलेक्ट्रोड को पहले गढ़ा जाता है, उसके बाद ऊपरी इलेक्ट्रोड को। एल्युमिनियम पेस्ट प्रिंटिंग एक प्रक्रिया विधि है जिसका व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।

(8) एंटी-रिफ्लेक्शन फिल्म का उत्पादन: परावर्तन हानि को कम करने के लिए, सिलिकॉन वेफर की सतह पर एंटी-रिफ्लेक्शन फिल्म की एक परत को कवर किया जाना चाहिए। एंटी-रिफ्लेक्शन फिल्म बनाने के लिए सामग्री MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5, आदि हैं। प्रक्रिया विधि वैक्यूम कोटिंग विधि, आयन कोटिंग विधि, स्पटरिंग विधि, प्रिंटिंग विधि, पीईसीवीडी विधि या छिड़काव विधि हो सकती है। .

(9) सिंटरिंग: निकेल या कॉपर की बेस प्लेट पर बैटरी चिप को सिंटर करें।

(10) परीक्षण वर्गीकरण: निर्दिष्ट पैरामीटर विनिर्देशों के अनुसार, परीक्षण वर्गीकरण।